高温正偏可靠性测试系统(HTFB2000)

该系统针对SiC MOSFET进行高温正偏可靠性测试，测试方法参考AEC-Q101E、AQG324。每个试验区域可进行最高5个工位的测试，工位具备独立脉冲源配置。可为器件提供室温~200℃的试验温度。具有试验器件短路脱离试验功能，可自动将故障器件脱离试验回路，不影响其他器件的正常试验。

试验温度	室温~200°C（热板形式加热）
老化试验区	4区（可扩容）
单区工位	5（典型）
试验方法	脉冲电流：最小脉冲数：50pulses~100pulses；单电流时间：50μs~10ms 脉冲频率：0.01Hz~0.2Hz；脉冲占空比：＜0.5%；脉冲上升时间：＜20μs
栅极阈值电压	电压范围：0V~200V；电流检测范围：±1A 检测精度：（0.015%+1mV）@20V；检测分辨率：10μV
导通电阻/VF测试	测试电流脉宽：100uS~200uS；测试脉冲电流上升沿时间：15uS 测试电流源输出电流：10mA~200A；测试电流源输出电压：10V 测量精度：0V~10V量程，精度：±0.2%±1mV
系统控制方案	冷却方式：air cooling；壳温采样精度：±1°C 驱动电压：-10V~+20V；保护方式：过流/过压/过温
漏极漏电流	测量范围：100V~2000V；电流检测范围：0mA~1mA 流检测精度：（1%±10nA）@10μA；（2%±100pA）@10nA 电流检测分辨率：40pA@10uA；40fA@10nA
栅极漏电流	测量电压范围：-40V~40V；电流检测范围：0mA~1mA 电流检测精度：（0.025%+300pA）@1μA；（0.025%+700pA）@10μA 电流检测分辨率：1pA@1μA；10pA@10μA
整机供电	三相AC380V±38V
整机重量	700Kg（典型）
整机尺寸（典型）	800mm(W) x 1400mm(D) x 1950mm(H)

AEC Q101、AQG 324

适用于SiC MOS管