该系统可进行室温+10℃~+230℃的高温反偏老化测试，老化过程中实时监测被测器件的漏电流状态、被测器件的电压状态，并根据需要记录老化试验数据，导出试验报表。
试验热平台 | 32~48 |
试验温度 | 室温+10℃~+230℃ |
老化试验区 | 8区 |
老化电压范围 | -2000V~+2000V（定制最大至±10000V） |
电压检测精度 | ±(1%+2LSB) |
电流检测范围 | 10nA~50mA |
电流检测精度 | ±(1%+10nA) |
整机供电 | 三相AC380V±38V |
最大功率 | 24KW（典型） |
整机重量 | 1600Kg（典型） |
整机尺寸 | 左腔体：1500mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H) |
AQG 324、AEC Q101、JESD 22-A108
适用于SiC MOS管、二极管、三极管、IGBT模块、PIM模块、可控硅等
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