该系统可进行室温+10℃~+200℃的高温反偏及栅偏老化测试，老化过程中实时监测被测器件的漏电流状态、被测器件的电压状态，并根据需要记录老化试验数据，导出试验报表。
试验热平台 | 96个 |
试验温度 | 室温+10°C~+200°C |
老化试验区 | 2~24区 |
老化电压范围 | HTRB：-2000V~2000V（定制最大至±20000V） |
电压检测精度 | ±(1%+2LSB) |
电流检测范围(Igs) | (1nA~100uA) |
电流检测精度(Igs) | ±(1%+1nA) |
电流检测范围(Ids) | 10nA~30mA |
电流检测精度(Ids) | ±(1%+10nA) |
整机供电 | 三相AC380V±38V |
最大功率 | 32KW（典型） |
整机重量 | 6000Kg（典型） |
整机尺寸（6+1配置） | 7000mm(W) x 1200mm(D) x 2250mm(H) |
AQG 324、AEC Q101、JESD 22-A108
适用于SiC MOS管、二极管、三极管、IGBT模块、PIM模块、可控硅等
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