高温动态栅偏可靠性测试系统(DHTGB2000)

该系统针对第三代SiC MOSFET具有动态栅偏老化测试能力，每块试验区可独立老化测试12个工位，独立12路可配置脉冲，测试栅极漏电流相互之间不干扰。可为器件提供室温~200℃的试验温度。具有试验器件短路脱离试验功能，可自动将故障器件脱离试验回路，不影响其他器件的正常试验。

试验温度	室温~200°C（热板形式加热）
老化试验区	8区（可扩容）
单区工位	12（典型）
试验方法	VDS = 0V VGS, off = VGS, min, and VGS, on = VGS, max
试验电压	试验控制范围：±50V 检测误差：±(1%+2LSB)；电压分辨率：0.01V
脉冲控制	1. 脉冲频率（方波）：0kHz~500kHz；精度：2%±2LSB （最大频率取决于电压，DUT电容） 2. 方波占空比20%~80%；精度：±1% 3. 动态DGS试验时栅极电压斜率可达dv/dt>1V/ns（Ciss＜10nF） 4. 电压过冲＜±0.5V 5. DVD软件程控可调
阈值电压	1. VTH电压测控范围：0.1V~10V（100uA~50mA恒流源） 2. 分辨率为0.01V，精度：1%±0.01V
漏电流检测范围	覆盖0.1nA~100mA， 0.1nA~10nA精度优于0.1%±0.5nA；10nA~100nA精度优于0.1%±1nA 100nA~1000nA精度优于0.1%±1.5nA；1uA~10uA精度优于0.1%±2nA 10uA~100uA精度优于0.1%±25nA；100uA~1000uA精度优于0.1%±50nA 1mA~10mA精度优于0.1%±500nA；10mA~100mA精度优于0.1%±1uA 漏电流在测量范围内能够自动匹配量程。
整机供电	三相AC380V±38V
整机重量	700Kg（典型）
整机尺寸	800mm(W) x 1400mm(D) x 1950mm(H)

AEC Q101、AQG 324、JEDEC JEP183A、JESD 22-A108

适用于SiC MOS管、GaN晶体管、IGBT模块