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高温高湿反偏可靠性测试系统(H3TRB2000)

该系统可进行高温高湿(双85)老化测试,老化过程中实时监测被测器件的漏电流状态、被测器件的电压状态,并根据需要记录老化试验数据,导出试验报表。

功能

  • nA级别的漏电流检测精度
  • 整机30s的全工位数据刷新
  • 独特高压抑制电路,器件瞬间击穿不影响其他工位老化进程
  • 可定制工位老化电压独立控制功能,实现单工位老化超限剔除
  • 可定制正负电源,实现模块上下桥同时施加偏置电压
  • 充分的实验员人体安全考虑设定

产品特性

试验温区

1个

试验温度

室温-20°C~+150°C

试验湿度

25%rh~98%rh

老化试验区

16区(8/16区可选)

单区工位数

80(典型)

老化电压范围

模块:-2000V~2000V(定制最大至±20000V)
单管:0V~2000V(定制最大至20000V)

电压检测精度

±(1%+2LSB)

电流检测范围

10nA~50mA

电流检测精度

±(1%+10nA)

整机供电

三相AC380V±38V

最大功率

10KW(典型)

整机重量

1000Kg(典型)

整机尺寸

1650mm(W) x 1750mm(D) x 1950mm(H)


适用标准

AQG 324、AEC Q101

适用器件

适用于SiC MOS管、二极管、三极管、IGBT模块、PIM模块、可控硅等