高温动态反偏可靠性测试系统(DHTRB2000)

该系统针对SiC MOSFET进行动态反偏老化测试，测试方法参考AQG324。每个试验区域可进行最高12个工位的测试，工位具备独立脉冲源配置。可为器件提供室温~200℃的试验温度。具有试验器件短路脱离试验功能，可自动将故障器件脱离老化试验回路，不影响其他器件的正常试验。

主动式/被动式 2000V-10000V（可定制）

试验温度	室温~200°C（热板形式加热）
老化试验区	8区（可扩容）
单区工位	12（典型）
试验方法	VDS＞0.5VDS,max，主动式：VGS, off = VGS, off, recom and VGS, on=VGS, on, recom 被动式：VGS=VGS, off, recom
试验电压	0V~2000V（定制最大至10000V）
电压精度	检测误差：±(1%+1V)
脉冲控制	1. 脉冲频率（方波）：0kHz~200kHz；精度：1%±2LSB （最大频率取决于电压及DUT电容） 2. 方波占空比20%~80%；精度：±1% 3. 电压上升率（dv/dt）≥50V/ns（Coss＜300pF） 4. 电压过冲＜15%Vds 5. DVDT软件程控可调
VGS电压范围	被动式：-20V~0V，主动式：-30V~30V
漏电流检测范围	覆盖1nA~100mA， 1nA~1000nA精度优于0.1%±2nA； 1uA~1000uA精度优于0.1%±50nA； 1mA~100mA精度优于0.1%±10uA；漏电流在测量范围内能够自动匹配量程。
整机供电	三相AC380V±38V
整机重量	700Kg（典型）
整机尺寸（典型）	800mm(W) x 1400mm(D) x 1950mm(H)

AEC Q101、AQG 324、JEDEC JEP183A、JESD 22-A108

适用于SiC MOS管、GaN晶体管、IGBT模块