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高温高湿动态反偏老化测试系统(DH3TRB2000)

该系统针对SiC MOSFET进行高温高湿动态反偏老化测试,测试方法参考AQG324。每个试验区域可进行最高10个工位的测试,工位具备独立脉冲源配置。可为器件提供标准85℃/85%RH试验环境。具有试验器件短路脱离试验功能,可自动将故障器件脱离老化试验回路,不影响其他器件的正常试验。

功能
  • nA级别的漏电流检测精度
  • 整机30s的全工位数据刷新
  • 独特高压抑制电路,器件瞬间击穿不影响其他工位老化进程
  • 可定制工位老化电压独立控制功能,实现单工位老化超限别除
  • 充分的实验员人体安全考虑设定
产品特性

试验温度

室温+10℃~125℃

试验湿度

10%RH-98%RH

试验方法

VGs,off = VGS,min and VGS on = VGS,max

老化测试区

16区

单区工位

8工位

电压范围

50V-1200V

电压精度

检测误差:±1%±2LSB

脉冲控制

1.脉冲频率(方波):10KHz~ 50kHz 精度:2%±2LSB
2.方波占空比20%-80%; 精度:
±2%
3.电压上升率 (Dw/Dt) ≥30W/ns
4.电压过冲<15%

VGS电压测控范出

根器件定制

VGS精度:1%±0.2V

VGS过冲:≤10%

漏电流检测

检测范围:100nA~30mA

精度:

第一档0.1uA -1mA 分牌率0.1uA 漏电流测量误差1%±2LSB

第二档1mA~30mA 分辨率1uA 漏电流测量误差:1%±2LSB

整机供电

三相AC380V±38V

整机重量

1200KG(典型)

整机尺寸

1650mm(w)x1750mm(D)x1950mm(H)

适用标准

AEC-Q102 AQG324 JESD22-A101

适用器件

适用于MOS管、二极管、三极管、IGBT模块、PIM模块、可控硅等,SIC、GAN