高温高湿动态反偏老化测试系统(DH3TRB2000)
该系统针对SiC MOSFET进行高温高湿动态反偏老化测试,测试方法参考AQG324。每个试验区域可进行最高6个工位的测试,工位具备独立脉冲源配置。可为器件提供标准85°C/85%RH试验环境。具有试验器件短路脱离试验功能,可自动将故障器件脱离老化试验回路,不影响其他器件的正常试验。
功能
- nA级别的漏电流检测精度
- dv/dt>30v/ns (Coss<300pF)
- 整机30s的全工位数据刷新
- 独特高压抑制电路,器件瞬间击穿不影响其他工位老化进程
- 可定制工位老化电压独立控制功能,实现单工位老化超限剔除
- 充分的实验员人体安全考虑设定
产品特性
试验温度 | 室温+10℃ ~+150℃ |
试验湿度 | 10%RH~98%RH |
试验方法 | VGS, off = VGS, min,VGS, on = VGS, max |
老化试验区 | 14区(14/16区 可选) |
单位工位 | 6(典型) |
试验电压 | 50V ~ 1000V |
电压检测精度 | 检测误差:±(2% ±1V) |
脉冲控制 | 1. 脉冲频率(方波):10kHz ~ 50kHz,精度:2% ± 2LSB |
VGS电压测试范围 | 被动式:-0.7V ~ -20V/0V |
漏电流检测 | 检测范围:0.1uA ~ 20mA |
整机供电 | 三相AC380V ±38V |
整机重量 | 1200Kg(典型) |
整机尺寸 | 2000mm(W)×1505mm(D)×1950mm(H) |
适用标准
AEC-Q101 AQG324 JESD22-A108 JEDEC JEP183A
适用器件
适用于SiC、GaN、IGBT模块、MOS管

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