点击咨询产品高温高湿动态反偏老化测试系统(DH3TRB2000)
该系统针对SiC MOSFET进行高温高湿动态反偏老化测试，测试方法参考AQG324。每个试验区域可进行最高10个工位的测试，工位具备独立脉冲源配置。可为器件提供标准85℃/85%RH试验环境。具有试验器件短路脱离试验功能，可自动将故障器件脱离老化试验回路，不影响其他器件的正常试验。
功能
- nA级别的漏电流检测精度
- 整机30s的全工位数据刷新
- 独特高压抑制电路，器件瞬间击穿不影响其他工位老化进程
- 可定制工位老化电压独立控制功能，实现单工位老化超限别除
- 充分的实验员人体安全考虑设定
产品特性
试验温度 | 室温+10℃~125℃ |
试验湿度 | 10%RH-98%RH |
试验方法 | VGs,off = VGS,min and VGS on = VGS,max |
老化测试区 | 16区 |
单区工位 | 8工位 |
电压范围 | 50V-1200V |
电压精度 | 检测误差:±1%±2LSB |
脉冲控制 | 1.脉冲频率(方波):10KHz~ 50kHz 精度:2%±2LSB |
VGS电压测控范出 | 根器件定制 VGS精度:1%±0.2V VGS过冲:≤10% |
漏电流检测 | 检测范围:100nA~30mA 精度: 第一档0.1uA -1mA 分牌率0.1uA 漏电流测量误差1%±2LSB 第二档1mA~30mA 分辨率1uA 漏电流测量误差:1%±2LSB |
整机供电 | 三相AC380V±38V |
整机重量 | 1200KG(典型) |
整机尺寸 | 1650mm(w)x1750mm(D)x1950mm(H) |
适用标准
AEC-Q102 AQG324 JESD22-A101
适用器件
适用于MOS管、二极管、三极管、IGBT模块、PIM模块、可控硅等，SIC、GAN