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高温高湿动态反偏老化测试系统(DH3TRB2000)

该系统针对SiC MOSFET进行高温高湿动态反偏老化测试,测试方法参考AQG324。每个试验区域可进行最高6个工位的测试,工位具备独立脉冲源配置。可为器件提供标准85°C/85%RH试验环境。具有试验器件短路脱离试验功能,可自动将故障器件脱离老化试验回路,不影响其他器件的正常试验。

功能

  • nA级别的漏电流检测精度
  • dv/dt>30v/ns (Coss<300pF)
  • 整机30s的全工位数据刷新
  • 独特高压抑制电路,器件瞬间击穿不影响其他工位老化进程
  • 可定制工位老化电压独立控制功能,实现单工位老化超限剔除
  • 充分的实验员人体安全考虑设定

产品特性

试验温度

室温+10℃ ~+150℃

试验湿度

10%RH~98%RH

试验方法

VGS, off = VGS, min,VGS, on = VGS, max

老化试验区

14区(14/16区 可选)

单位工位

6(典型)

试验电压

50V ~ 1000V

电压检测精度

检测误差:±(2% ±1V)

脉冲控制

1. 脉冲频率(方波):10kHz ~ 50kHz,精度:2% ± 2LSB
2. 方波占空比 20% ~ 80%,精度:±2%
3. 电压上升率 (dv/dt) ≥ 30V/ns(Coss < 300pF)
4. 电压过冲视脉冲电压幅度而定,最大不超过 10%VDS

VGS电压测试范围

被动式:-0.7V ~ -20V/0V
主动式:根据设备设定值:VGS电压:正电压 18V、20V、22V,3 种选择;负电压 -3V、-5V、-12V 任选

漏电流检测

检测范围:0.1uA ~ 20mA
精度:
第一档0.1uA ~ 0.999uA,分辨率为 0.01uA,精度:1% ± 0.02uA
第二档1.00uA ~ 99.9uA,分辨率为 0.1uA,精度:1% ± 0.2uA
第三档100uA ~ 999uA,分辨率为 1uA,精度:1% ± 2uA
第四档1.0mA ~ 20.00mA,分辨率为 0.01mA,精度:1% ± 0.2mA

整机供电

三相AC380V ±38V

整机重量

1200Kg(典型)

整机尺寸

2000mm(W)×1505mm(D)×1950mm(H)


适用标准

AEC-Q101 AQG324 JESD22-A108 JEDEC JEP183A

适用器件

适用于SiC、GaN、IGBT模块、MOS管