点击咨询产品晶圆级可靠性测试系统(CWBS1000)
该系统适用于6/8寸晶圆级器件的可控高温的带电可靠性测试，基于JEDEC可靠性测试标准设计；提供高精度高电压输出，保存并且长期记录高精度电流，可控温度等参数，并根据记录测试数据，导出实验表格及MAP图多格式选择。
功能
- 定制化高温调节半自动探针台，支持≤5片晶圆同时老化测试
- 支持每个晶圆Die独立保护功能，对过流过压进行越限控制
- 支持氮气保护防止晶圆氧化,充气时支持过压保护
- 支持更换老化板或探针卡不同封装器件进行测试
- 支持晶圆安装触点到位检测，支持实时温度、压力检测
- 支持HTGB,HTRB等老化测试功能，Vth/Ids/Igs等参数的自动测试和数据分析
- 支持内置晶圆布局MAP配置,数据的实时展示和历史数据的查询
- 支持接入集控站(智慧护芯云)系统,定制化与MES系统对接
产品特性
试验温区 | 1(定制支持<5) |
试验温度 | 室温~200°C |
适用产品 | GaN/SiC等6寸和8寸晶圆wafer |
多工位并行试验 | 1(定制支持<5) |
温度过冲 | <2°C |
栅极电压范围(精度) | ±60V(0.1%+10mV) |
栅极电流范围(精度) | HTGB: 0.1nA-1uA(1%+-100pA)Vth: 0-20mA(0.1%+-20uA) |
源极电压范围(精度) | 50-2000V(0.5%*Vmax+1V) |
源极电流范围(精度) | 1nA-1mA(1%+-5nA) |
电压电流过冲 | HTRB过充<2%,HTGB过冲<200mV |
通信方式 | TCP网络/485串口 |
操作系统 | Windows7及以上系列 |
MES系统接口 | 定制对接第三方系统和数据 |
整机重量 | 850Kg |
整机尺寸 | 2050mm(W)x1400mm(D)x1750mm(H) |
单腔体尺寸 | 1920mm(W)x1250mm(D)x 300mm(H) |
适用标准
AEC-Q101 JEP183 IEC60749-23 JESD22-A108F
适用器件
适用于GaN/SiC等晶圆wafer的高温、高电压可靠性测试；Vth、Igs、Ids等参数功能自动测试和数据分析