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高温动态反偏老化测试系统(DHTRB2000)

该系统针对SiC MOSFET进行动态反偏老化测试,测试方法参考AQG324。每个试验区域可进行最高12个工位的测试,工位具备独立脉冲源配置。可为器件提供室温~200°C的试验温度。具有试验器件短路脱离试验功能,可自动将故障器件脱离老化试验回路,不影响其他器件的正常试验。

功能

  • dv/dt>50V/ns (COSS<300pF)
  • 2us的过流保护
  • 温控在室温~200℃内可独立加热,兼容静态HTRB试验
  • 充分的实验员人体安全考虑设定

产品特性

试验温度

室温~200°C(热板形式加热)

老化试验区

8区(可扩容)

单区工位

12 (典型)

试验方法

主动式:
VGS, off= VGS, min recom and VGS, on = VGS, max
被动式:
VGS = VGS, min recom

试验电压

50V-1200V

电压精度

检测误差: ±(2%+1V)

脉冲控制

1.脉冲频率(方波): 0kHz~100kHz; 精度:2%+2LSB(最大频率取决于电压,DUT电容)
2.方波占空比20%~80%; 精度: ±2%
3.电压上升率 (dv/dt)≥50V/ns (Coss<300pF)
4.电压过冲<15% (Vpp>960V)

VGS电压测控范围

-0.7V~-20V/0V

漏电流检测

检测范围: 0.1uA~20mA
精度:
第一档0.1uA~0.999uA分辨率为0.01uA 精度: 1%+0.02uA
第二档1.00uA~99.9uA分辨率为0.1uA 精度: 1%±0.2uA
第三档100uA~999uA 分辨率为1uA 精度: 1%±2uA
第四档1.0mA~20.00mA 分辨率为0.1mA 精度: 1%+0.2mA

整机供电

三相AC380V+38V

整机重量

700Kg(典型)

整机尺寸(典型)

800mm(W)x1400mm(D)x1950mm(H)


适用标准

AEC-Q101 AQG324 JESD22-A108 JEDEC JEP183A

适用器件

适用于SiC、GaN、IGBT模块、MOS管