高温动态反偏老化测试系统(DHTRB2000)
该系统针对SiC MOSFET进行动态反偏老化测试,测试方法参考AQG324。每个试验区域可进行最高12个工位的测试,工位具备独立脉冲源配置。可为器件提供室温~200°C的试验温度。具有试验器件短路脱离试验功能,可自动将故障器件脱离老化试验回路,不影响其他器件的正常试验。
功能
- dv/dt>50V/ns (COSS<300pF)
- 2us的过流保护
- 温控在室温~200℃内可独立加热,兼容静态HTRB试验
- 充分的实验员人体安全考虑设定
产品特性
试验温度 | 室温~200°C(热板形式加热) |
老化试验区 | 8区(可扩容) |
单区工位 | 12 (典型) |
试验方法 | 主动式: |
试验电压 | 50V-1200V |
电压精度 | 检测误差: ±(2%+1V) |
脉冲控制 | 1.脉冲频率(方波): 0kHz~100kHz; 精度:2%+2LSB(最大频率取决于电压,DUT电容) |
VGS电压测控范围 | -0.7V~-20V/0V |
漏电流检测 | 检测范围: 0.1uA~20mA |
整机供电 | 三相AC380V+38V |
整机重量 | 700Kg(典型) |
整机尺寸(典型) | 800mm(W)x1400mm(D)x1950mm(H) |
适用标准
AEC-Q101 AQG324 JESD22-A108 JEDEC JEP183A
适用器件
适用于SiC、GaN、IGBT模块、MOS管