点击咨询产品高温动态反偏老化测试系统(DHTRB2000)
该系统针对SiC MOSFET进行动态反偏老化测试，测试方法参考AQG324。每个试验区域可进行最高12个工位的测试，工位具备独立脉冲源配置。可为器件提供+10°C-175°C的试验温度。具有试验器件短路脱离试验功能，可自动将故障器件脱离老化试验回路，不影响其他器件的正常试验。
功能
- nA级漏电流测试
- 可根据不同器件封装、功率等要求，定制专用老化测试板
- 充分的实验员人体安全考虑设定
产品特性
试验温度 | 室温+10°C~175°C (热板形式加热） |
老化测试区 | 8区(可扩容) |
单区工位 | 12 (典型) |
试验方法 | 主动式：Vgs = Vgs off被动式：Vgs，off = VGS，min and VGS，on = VGS，max |
电压范围 | 50V~1500V |
电压精度 | 1.脉冲频率(方波):5KHZ~200kHz;精度:2%±2LSB 2.方波占空比20%~80%;精度:±2% |
脉冲控制 | 1.脉冲频率(方波):5kHz~200kHz;精度:2%±2LSB 2.方波占空比20%~80%;精度:±2% 3.电压上升率 (Dv/Dt) ≥50V/ns 4.电压过冲<15% |
| VGS电压测控范围 | -0.7V~-22V/0V |
漏电流检测 | 检测范围:100nA~30mA 精度: 第一档0.1uA~1mA 分辨率0.1uA 漏电流测量误差:1%±2LSB 第二档1mA~30mA 分辨率1uA 漏电流测量误差:1%±2LSB |
整机供电 | 三相AC380V±38V |
整机重量 | 700KG(典型) |
整机尺寸(典型) | 800mm(W) x 1400mm(D) x 1950mm(H) |
适用标准
AEC-Q102 AOG324
适用器件
适用于二极管、三极管、MOSFET管、达林顿管、可控硅等，SIC、GAN、SCR等