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高温高湿反偏老化测试系统(H3TRB2000F)

该系统可进行高温高湿(双85)老化测试,老化过程中实时监测被测器件的漏电流状态、被测器件的电压状态,并根据需要记录老化试验数据,导出试验报表。

功能
  • nA级别的漏电流检测精度
  • 整机30s的全工位数据刷新
  • 独特高压抑制电路,器件瞬间击穿不影响其他工位老化进程
  • 可定制工位老化电压独立控制功能,实现单工位老化超限剔除
  • 充分的实验员人体安全考虑设定
产品特性

试验温区

1个

试验温度

室温+10~150℃

试验湿度

10%rh~98%rh

老化试验区

16区(8/16区可选)

单区工位数

80(典型)

老化电压范围

0~±2000V

电压检测精度

±(1%+2LSB)

电流检测范围

10nA~50mA

电流检测精度

±(1%+10nA)

整机供电

三相AC380V±38V

最大功率

10KW(典型)

整机重量

1000KG(典型)

整机尺寸

1650mm(W)×1750mm(D)×1950mm(H)

适用标准

GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 JESD22-A101

适用器件

适用于MOS管、二极管、三极管、IGBT模块、PIM模块、可控硅等