点击咨询产品高温反偏老化测试系统(HTRB3100)
该系统可进行室温+10℃~200℃的高温反偏老化测试，老化过程中实时监测被测器件的漏电流状态、被测器件的电压状态，并根据需要记录老化试验数据，导出试验报表。
功能
- 使用热平台加热方式对器件进行加热
- 可实现每个器件独立加热平台，独立控温
- 良好的热传递特性，针对IGBT模块/分立器件高温高漏电特性，可实现175Tj情况下稳定的HTRB试验
- 可定制独立保护功能，实现单工位超限切断
- 充分的实验员人体安全考虑设定
产品特性
试验热平台 | 48个 |
试验温度 | 室温+10℃~200℃ |
试验区位 | 8个 |
老化电压范围 | -2000V~+2000V |
电压检测精度 | ±(1%+2LSB) |
电流检测范围 | 10nA~50mA |
电流检测精度 | ±(1%+10nA) |
整机供电 | 三相AC380V±38V |
| 最大功率 | 24KW (典型) |
整机重量 | 1600KG (典型) |
整机尺寸 | 左腔体: 1500mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H) 右腔体: 1500mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H) 控制柜: 600mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H) |
适用标准
MIL-STD-750D AQG324
适用器件
适用于MOS管、二极管、三极管、IGBT模块、PIM模块、可控硅等