产品导航
当前位置: 首页 产品中心 可靠性测试设备 动态老化测试系统 动态老化测试系统 高温动态栅偏老化测试系统 (DHTGB2010)

高温动态栅偏老化测试系统(DHTGB2010)

该系统针对第三代SiC MOSFET具有动态栅偏老化测试能力,每块试验区可独立老化测试12工位,独立12路可配置脉冲,测试栅极漏电流相互之间不干扰。可为器件提供室温~200°C的试验温度。具有试验器件短路脱离试验功能,可自动将故障器件脱离老化试验回路,不影响其他器件的正常试验。

功能

  • 高速dv/dt>1V/ns
  • nA级漏电流测试
  • 阀值电压测试
  • 可根据不同器件封装、功率等要求,定制专用老化测试板
  • 充分的实验员人体安全考虑设定

产品特性

试验温度

室温~200℃(热板形式加热)

老化测试区

8区(可扩容)

单区工位

12(典型)

试验方法

VDS =0V
VGS, off = VGS, min, recom and VGS, on =VGS, max

VGS电压控制检测

试验控制范围:±30V

检测误差:±(1%±2LSB);电压分辨率:0.01V

脉冲控制

1.脉冲频率(方波): 0~500kHz; 精度: 2%±2LSB

(最大频率取决于电压, DUT电容)

2.方波占空比20%~80%; 精度: ±2%

3.动态DGS试验时栅极电压斜率可达dv/dt>1V/ns (Ciss<5nF)

4.电压过冲<10% (测试电压幅度大于25V)

阀值电压VGSTH

1..VGS电压测控范围: 1~10V (100nA~50mA恒流源)

2.分辨率为0.01V, 精度: 1%±0.01V

IGS漏电流检测

检测范围: 1nA~99.9uA

第一档1nA~99nA 分辨率1nA 漏电流测量误差: 1%±2LSB

第二档100nA~999nA 分辨率10nA 漏电流测量误差: 1%±2LSB

第三档1uA~99.9uA 分辨率100nA 漏电流测量误差: 1%±2LSB

整机供电

三相AC380V±38V

整机重量

700Kg(典型)

整机尺寸

800mm(w)x1400mm(D)x1950mm(H)

适用标准

AEC-Q101 AQG324 JESD22-A108 JEDEC JEP183A

适用器件

适用于SiC、GaN、IGBT模块、MOS管