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功率器件动态老化系统(DHTOL2000)

该系统可对MOSFET器件及第三代SiC、GaN器件进行动态老化和测试,老化过程中实时监测被测器件的峰值电流、工作电压、导通电阻,并根据需要记录老化试验数据,导出试验报表。

功能
  • 高频动态电压、电流老化
  • 整机60s的全工位数据刷新
  • 独特保护电路,单位器件击穿不影响其他工位老化进程
  • 可定制区位老化电压独立控制功能,实现单工位老化超限剔除
产品特性

试验温区

1 个

试验温度

室温

老化试验区

32区(16/32区可选)

单区工位数

20(典型)

老化电压范围

0~650V、精度:±(2%+0.1V)

电流检测范围

0~1A、精度:±(2%+0.05A)

脉冲频率

50KHz~200kHz、精度:1%±2LSB

占空比

30%~70%、精度:2%

导通电阻Rds(on)

30mΩ~ 5Ω、精度:10%

整机供电

三相AC380V±38V

最大功率

25KW(典型)

整机重量

1100KG(典型)

整机尺寸

2075mm(W)×1350mm(D)×2020mm(H)

适用标准

GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 AQG324 JESD22

适用器件

适用于各种大中小功率MOSFET管器件及第三代SiC、GaN器件