点击咨询产品功率器件动态老化系统(DHTOL2000)
该系统可对MOSFET器件及第三代SiC、GaN器件进行动态老化和测试，老化过程中实时监测被测器件的峰值电流、工作电压、导通电阻，并根据需要记录老化试验数据，导出试验报表。
功能
- 高频动态电压、电流老化
- 整机60s的全工位数据刷新
- 独特保护电路，单位器件击穿不影响其他工位老化进程
- 可定制区位老化电压独立控制功能，实现单工位老化超限剔除
产品特性
试验温区 | 1 个 |
试验温度 | 室温 |
老化试验区 | 32区(16/32区可选) |
单区工位数 | 20(典型) |
老化电压范围 | 0～650V、精度：±(2%+0.1V) |
电流检测范围 | 0～1A、精度：±(2%+0.05A) |
脉冲频率 | 50KHz～200kHz、精度：1%±2LSB |
占空比 | 30%～70%、精度：2% |
导通电阻Rds(on) | 30mΩ~ 5Ω、精度：10% |
整机供电 | 三相AC380V±38V |
最大功率 | 25KW(典型) |
整机重量 | 1100KG(典型) |
整机尺寸 | 2075mm(W)×1350mm(D)×2020mm(H) |
适用标准
GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 AQG324 JESD22
适用器件
适用于各种大中小功率MOSFET管器件及第三代SiC、GaN器件